CY621472E30LL-45ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY621472E30LL-45ZSXIT

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY621472E30LL-45ZSXIT
CY621472E30LL-45ZSXIT


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

OPN
CY621472E30LL-45ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
CY621472E30LL-45ZSXIT is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS SRAM in a 44-pin TSOP II (Pb-free) package for 3 V-typ systems. It operates from 2.2 V to 3.6 V over –40°C to +85°C and supports 45 ns access. Typical active current is 3.5 mA at 1 MHz, with automatic power-down standby at 2.5 µA typical (7 µA max) when deselected. Dual chip enables and byte enables simplify expansion and byte-wide reads/writes.

特長

  • 256K × 16 CMOS SRAM architecture
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC operating range 2.2 V to 3.6 V
  • 3.5 mA active at 1 MHz (typ)
  • 2.5 µA standby current (typ)
  • Standby cuts power >99% deselect
  • Data retention at VCC = 1.5 V
  • ICCDR 8.8 µA max at VCC = 1.5 V
  • Byte write via BHE/BLE controls
  • Automatic power-down on deselect
  • OE-controlled tri-state outputs

利点

  • Fast 45 ns access reduces latency
  • 2.2–3.6 V fits common 3.3 V
  • Low active current extends battery
  • µA standby reduces sleep power
  • Deselect power-down saves energy
  • 1.5 V retention keeps data saved
  • Byte writes cut bus activity
  • Tri-state outputs simplify bus sharing
  • CE1/CE2 supports easy expansion
  • CMOS I/O eases MCU interfacing
  • High-Z outputs reduce contention

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ