CY62138FLL-45SXIT
Active and preferred
RoHS対応

CY62138FLL-45SXIT

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CY62138FLL-45SXIT
CY62138FLL-45SXIT
個.


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V~5.5 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62138FLL-45SXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62138FLL-45SXITは5 Vシステム向け2 Mbit(256K×8)のCMOS SRAMで、45 nsアクセスを規定します。4.5 V~5.5 V、-40°C~+85°Cで動作し、チップイネーブル自動パワーダウン(ISB2最大5 µA)に対応。ICCは1 MHzで最大2.5 mA(fmaxで最大18 mA)。TTLレベル入力(VIH最小2.2 V)でプロセッサ直結が容易で、鉛フリー32ピンSOICを提供します。

特長

  • 2 Mbit SRAM、256K×8構成
  • 読書込サイクル45 ns
  • 電源VCC 4.5 V~5.5 V
  • 1 MHzで動作電流1.6 mA
  • 待機1 µA typ、5 µA max
  • CEで自動パワーダウン
  • データ保持VDR=2.0 V
  • ICCDR 1 µA typ、5 µA max
  • TTL互換の入力レベル
  • OE/CE/WEで3ステート
  • I/Oリーク電流±1 µA
  • ESD>2001 V(MIL-STD)

利点

  • 45 nsで待ち時間を低減
  • 5 V系レガシーに適合
  • 低動作電流で消費電力低減
  • µA待機で電池駆動を延長
  • 自動PDでアイドル省電力
  • 2.0 V保持でデータ保護
  • 低ICCDRでバックアップ容易
  • TTL入力で接続が簡単
  • 3ステートでバス共有可能
  • 低リークで待機損失を低減
  • 高ESDで取り扱いに強い
  • CE/OEでメモリ拡張が容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ