CY62138EV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62138EV30LL-45BVXIT

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CY62138EV30LL-45BVXIT
CY62138EV30LL-45BVXIT
個.


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 8
  • 認定
    Industrial

OPN
CY62138EV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62138EV30LL-45BVXIは2 Mbit(256 K×8)のCMOSスタティックRAMで、ポータブル機器や組み込みのメモリ拡張に適します。2.2 V~3.6 V、-40°C~+85°Cで動作し、アクセス時間は45 nsです。1 MHzでICC 2 mA(typ)、自動CEパワーダウンによりスタンバイ1 µA(max 7 µA)。CMOSレベルと3ステート出力でバス共有を簡素化し、Pb-free 36ボールVFBGAです。

特長

  • 256 K×8 CMOS SRAM
  • 45 ns読出し/書込みサイクル
  • VCC動作2.2 V~3.6 V
  • 待機1 µA typ、7 µA max
  • 1 MHzで動作電流2 mA typ
  • CE Highで自動パワーダウン
  • VCC=1 Vでデータ保持
  • 1 VでICCDR 0.8 µA typ
  • CE/OEでメモリ拡張
  • 非選択時出力はハイZ
  • CIN/COUT最大10 pF

利点

  • 8ビット・メモリバスに適合
  • 45 nsで高速CPUアクセス
  • 2.2-3.6 Vで3 V電源に対応
  • 待機1 µAで電池寿命を延長
  • 低動作電流で消費電力低減
  • 自動PDでアイドル電力削減
  • バックアップでデータ保持
  • µA保持でキープアライブ可能
  • CE/OEでバンク拡張が容易
  • ハイZでバス共有が簡単
  • 低容量でタイミング/EMI改善

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ