CY62138EV30LL-45BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62138EV30LL-45BVXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62138EV30LL-45BVXI
CY62138EV30LL-45BVXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62138EV30LL-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-36
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-36
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62138EV30LL-45BVXIは2-Mbit（256 K × 8）のCMOS SRAMで、45 nsアクセスの高速パラレルメモリです。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで動作し、CE/OE/WE制御、CE自動パワーダウン、3ステートI/Oに対応。ICCは1 MHzで2 mA typ、fmaxで15 mA typ（20 mA max）、スタンバイは1 µA typ（7 µA max）。MIL-STD-883 ESD > 2001 V。Pbフリー36ボールVFBGA（6 mm × 8 mm）。

特長

  • 256 K×8 CMOS SRAM
  • 45 ns読出し/書込みサイクル
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 待機1 µA typ、7 µA max
  • 1 MHzで動作電流2 mA typ
  • CE Highで自動パワーダウン
  • VCC=1 Vでデータ保持
  • 1 VでICCDR 0.8 µA typ
  • CE/OEでメモリ拡張
  • 非選択時出力はハイZ
  • CIN/COUT最大10 pF

利点

  • 8ビット・メモリバスに適合
  • 45 nsで高速CPUアクセス
  • 2.2-3.6 Vで3 V電源に対応
  • 待機1 µAで電池寿命を延長
  • 低動作電流で消費電力低減
  • 自動PDでアイドル電力削減
  • バックアップでデータ保持
  • µA保持でキープアライブ可能
  • CE/OEでバンク拡張が容易
  • ハイZでバス共有が簡単
  • 低容量でタイミング/EMI改善

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ