CY62128ELL-45SXA
Active and preferred
RoHS対応

CY62128ELL-45SXA

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パッケージ

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CY62128ELL-45SXA
CY62128ELL-45SXA
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62128ELL-45SXA
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62128ELL-45SXAは1 Mbit（128K × 8）CMOS SRAMで、4.5 V～5.5 V動作、45 nsアクセスに対応します。Automotive-Aグレードで-40°C～+85°Cで動作。CE自動パワーダウンにより待機電流1 µA typ（4 µA max）、1 MHz時の動作電流1.3 mA typ。携帯機器や車載組込みメモリ向けで、TTL入力レベル対応、Pbフリー32ピン450 mil SOIC。

特長

  • 128K×8 SRAM構成
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • VCC動作4.5 V～5.5 V
  • 1 MHzでICC典型1.3 mA
  • スタンバイ典型1 µA
  • CE自動パワーダウン(ISB2)
  • CE1/CE2とOE制御
  • 非選択時出力は高インピ
  • TTL互換入力レベル
  • VIH 2.2 V,VIL 0.8 V
  • 入力容量最大10 pF
  • OE→データ有効tDOE 22 ns

利点

  • 45 nsでアクセス遅延を低減
  • 5 V系にそのまま適合
  • 典型1.3 mAで動作電力低減
  • 1 µA待機で電池寿命延長
  • 自動省電力で待機損失低減
  • CE1/CE2で拡張設計が容易
  • 高インピでバス共有が容易
  • TTLでMCU/CPU接続が簡単
  • 閾値規定で誤動作リスク低減
  • 低容量でタイミング余裕
  • 22 nsでOE読出し応答向上
  • 低待機で発熱を抑制

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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