CY62126EV30LL-45BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62126EV30LL-45BVXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62126EV30LL-45BVXI
CY62126EV30LL-45BVXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    1 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62126EV30LL-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62126EV30LL-45BVXI is a 1-Mbit (64 K × 16) CMOS static RAM optimized for low-power portable and embedded designs. It operates from 2.2 V to 3.6 V with 45 ns access time. Automatic power-down reduces standby current to 4 µA max when deselected, and operating current is 16 mA max at f = fmax. Byte enables (BLE/BHE) support 8-bit writes. Industrial -40°C to +85°C, Pb-free 48-ball VFBGA.

特長

  • 1-Mbit SRAM organized as 64K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • 2.2 V to 3.6 V single-supply VCC
  • 1.3 mA typ active at 1 MHz
  • 4 µA max standby current
  • Auto power-down when addr static
  • Data retention at VCC down to 1.5 V
  • 3 µA max data-retention current
  • Byte write via BLE/BHE controls
  • Tri-state I/O via CE/OE/BHE/BLE

利点

  • 16-bit bus cuts MCU accesses
  • 45 ns suits fast SRAM interfaces
  • 2.2–3.6 V fits 3 V systems
  • Low active current extends runtime
  • µA standby minimizes sleep drain
  • Auto power-down saves idle power
  • 1.5 V retain data in deep sleep
  • Low ICCDR reduces backup load
  • Byte writes reduce write energy
  • Tri-state eases bus sharing/expand

アプリケーション

ドア制御モジュール
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ