Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B104QSN-108SXI

4Mb 3.0V Industrial 108MHz QSPI EXCELON™ F-RAM in 8-pin SOIC
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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CY15B104QSN-108SXI
CY15B104QSN-108SXI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    1.8 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    1.8 V to 3.6 V
  • 周波数
    108 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B104QSN-108SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EXCELON™ Ultra CY15B104QSN-108SXI is a high-performance 4-Mbit non-volatile memory, offering reliable data retention for 151 years while eliminating complexities associated with other non-volatile memories. Unlike serial flash, it performs write operations at bus speed, ensuring no write delays and offering substantial write endurance of 1014 cycles. Equipped with high-speed quad SPI interfaces, read-only and unique ID features, on-die ECC logic, and cyclic redundancy check (CRC) capabilities, this memory is ideal for applications requiring frequent or rapid writes, such as data collection and demanding industrial controls. The CY15B104QSN-108SXI provides unparalleled performance and data integrity for non-volatile memory applications.

機能

  • 4-Mbit F-RAM logically organized as 512K × 8
  • Virtually unlimited endurance
  • 100 trillion (1014) read/write cycles
  • Infineon instant non-volatile write technology
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Single and multi I/O serial peripheral interface (SPI)
  • SPI clock frequency
  • Execute-in-place (XIP) for memory read/write
  • Dedicated 256-byte special sector F-RAM
  • Extended electronic signatures
  • Low-power consumption at high speed
  • Low-voltage operation
  • Operating temperature: –40°C to +85°C

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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