CY15B102Q-SXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15B102Q-SXE

Reliable 2048kBit SPI FRAM with 20MHz frequency, Automotive(E) qualification, and wide operating temperature range of -40°C to 125°C.
個.
在庫あり

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CY15B102Q-SXE
CY15B102Q-SXE
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2 V~3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2 V~3.6 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15B102Q-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 940
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 940
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY15B102Q-SXEは2-Mbit(256 K × 8)車載グレードのシリアルF-RAMで、10兆回の読書き耐久性と85°Cで121年のデータ保持を実現します。2.0 V~3.6 V動作、SPIバス最大25 MHz対応。書き込み遅延なし、低消費電力(5 mA動作、750 μA待機、20 μAスリープ)で、自動車や産業用途の高頻度・高速書き込みに最適です。ハードウェア・ソフトウェア書き込み保護、AEC-Q100 Grade 1準拠で高い信頼性を確保します。

特長

  • 2Mビット不揮発F-RAM、256K×8構成
  • 10兆(10¹³)回の高耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™書込、RAM同等速度
  • SPIインターフェース最大25MHz
  • 低消費電力:5mA動作、750μA待機、20μAスリープ
  • 広VDD:2.0 V~3.6 V
  • 高度なハード/ソフト書込保護
  • ソフトウェアブロック保護
  • Device IDで識別容易
  • SPIモード0/3対応
  • 動作温度:–40°C~+125°C

利点

  • 即時書込で待機不要
  • 10¹³回で頻繁な記録に最適
  • 121年データ安全
  • 低消費で電池長持ち
  • SPI 25MHzで高速転送
  • 広電圧で設計柔軟
  • 書込保護で誤操作防止
  • ブロック保護で重要データ守る
  • Device IDで管理容易
  • SPIフラッシュ/EEPROM互換
  • –40~+125°Cで高信頼
  • 置換で設計容易化
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ