Active and preferred
RoHS準拠

CY15B064J-SXET

データシート
パッケージ
EA.
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CY15B064J-SXET
CY15B064J-SXET
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B064J-SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY15B064J-SXETは64 Kbit（8K × 8）車載グレードのシリアルF-RAMで、I2Cインターフェースを備え、10兆回（10¹³）の読み書き耐久性と85°Cで121年のデータ保持を実現します。動作電圧は3.0 V～3.6 V、最大1 MHzクロック対応、低消費電力（100 kHz時最大120 μA動作、85°C時6 μA待機）。AEC-Q100 Grade 1認証取得、RoHS準拠、8ピンSOICパッケージ。NoDelay™書き込みでバス速度の即時書き込みが可能で、自動車、データロギング、産業制御など高信頼性・頻繁な書き込み用途に最適です。

特長

  • 64 Kbit不揮発性F-RAM、8K×8構成
  • 10兆回の読書き耐久性
  • 121年データ保持（85°C）
  • NoDelay™書込、即時データ保存
  • 最大1 MHz I2CシリアルIF対応
  • 100/400 kHz I2Cタイミング対応
  • 100 kHz時120 μA動作電流
  • 6 μAスタンバイ電流
  • VDD動作電圧3.0～3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C
  • シリアルI2C EEPROMと互換
  • 高信頼性強誘電体プロセス

利点

  • 電源断でもデータ保持
  • 10¹³回で頻繁な記録に最適
  • 121年保存でデータ消失防止
  • 書込遅延ゼロで応答高速
  • 1 MHz I2Cで高速アクセス
  • 既存I2C設計と互換
  • 低動作電流で省エネ
  • 6 μA待機で電池長持ち
  • 3.0～3.6 Vで標準電源対応
  • –40°C～+125°Cで広温度動作
  • 置換で設計変更不要
  • 高信頼性で厳しい用途に対応

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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