Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B016J-SXAT

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パッケージ

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CY15B016J-SXAT
CY15B016J-SXAT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B016J-SXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B016J-SXATは16 Kbit（2K × 8）車載グレードのシリアルF-RAMで、I2Cインターフェース、2.7 V～3.65 V、–40°C～+85°Cで動作します。1e14回の読み書き耐久性、151年のデータ保持、NoDelay™書き込みにより、EEPROMを上回る耐久性・速度・低消費電力を実現。最大1 MHz I2C対応で、車載・産業用途のシリアルEEPROM代替に最適。8ピンSOIC、RoHS準拠で信頼性の高い不揮発性メモリを提供します。

特長

  • 16 Kbit不揮発性F-RAM、2K×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 100 kHz時動作電流100 μA
  • 代表待機電流3 μA
  • 広い電圧範囲2.7 V～3.65 V
  • 動作温度–40°C～+85°C
  • 書込み保護ピンでデータ保護
  • I2Cピンにシュミットトリガ・スロープ制御
  • I2C EEPROMとハード互換

利点

  • 電源断後もデータが消えない
  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書込み遅延ゼロで即時保存
  • EEPROMより高耐久・長期保持
  • 標準I2C設計と互換
  • システム消費電力を削減
  • 待機時の消費電流を抑制
  • 過酷環境でも動作可能
  • 誤書込みから重要データを保護
  • I2Cバスのノイズ耐性向上
  • EEPROMから簡単アップグレード
  • システム信頼性の課題を軽減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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