Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B016J-SXET

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パッケージ

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CY15B016J-SXET
CY15B016J-SXET
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B016J-SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B016J-SXETは16 Kbit（2K × 8）車載グレードのシリアルF-RAMで、10兆（10¹³）回の高耐久読書きと85°Cで121年のデータ保持を実現。動作電圧3.0 V～3.6 V、最大1 MHz I2C、100 kHz時120 μA動作電流、NoDelay™バス速度書き込み対応。AEC-Q100 Grade 1認証、–40°C～+125°Cで車載や産業用EEPROM代替に最適。

特長

  • 16 Kbit強誘電体RAM、2K × 8構成
  • 10兆回の読書き耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • I2CシリアルIF最大1 MHz
  • 100 kHz・400 kHzタイミング対応
  • 100 kHz時最大120 μA動作電流
  • 125°C時20 μA待機電流
  • VDD動作電圧3.0 V～3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C
  • ESD保護2 kV HBM、500 V CDM
  • ラッチアップ電流>140 mA

利点

  • 頻繁で高速なデータ記録を実現
  • 100年以上の信頼性データ保存
  • リアルタイム用途で書込遅延なし
  • I2C EEPROMと置換可能
  • 低消費電力で電池長寿命
  • 過酷環境でも安定動作
  • 高ESD・ラッチアップ耐性
  • 電源断でもデータ消失なし
  • システム簡素化・コスト削減
  • 新旧I2C設計に対応
  • 車載・産業用途に最適
  • 高耐久で保守負担軽減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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