Active and preferred
RoHS準拠

CY15B004J-SXAT

データシート
パッケージ

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CY15B004J-SXAT
CY15B004J-SXAT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B004J-SXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B004J-SXATは4 Kbit（512 × 8）車載グレードのシリアルF-RAMで、I2Cインターフェースを採用し、1×10¹⁴回の読み書きと151年のデータ保持に対応します。動作電圧は2.7 V～3.65 V、温度範囲は–40°C～+85°C、NoDelay™書き込みによりバス速度で即時データ保存が可能です。100 kHz時の動作電流は最大100 μA、スタンバイ電流は3 μA。8ピンSOICパッケージ、RoHS準拠で、自動車、産業用途や頻繁なデータロギングに最適です。

特長

  • 4-Kbit F-RAM（512 × 8構成）
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書込技術
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 100 μA低動作電流（100 kHz）
  • 3 μA標準スタンバイ電流
  • VDD範囲：2.7 V～3.65 V
  • 動作温度：–40°C～+85°C
  • I2C EEPROMと互換
  • 書込保護ピンでデータ保護
  • シュミットトリガ入力で耐ノイズ

利点

  • 頻繁なデータ記録も摩耗なし
  • 数十年データ消失を防止
  • 即時書込でリアルタイム対応
  • I2C EEPROM設計を簡単置換
  • システム消費電力を削減
  • 低消費システムの電池長寿命
  • 過酷環境でも安定動作
  • 誤書込防止でデータ保護
  • ノイズ下でもデータ維持
  • 標準I2Cバスで簡単統合
  • ポーリング不要・遅延なし
  • 電圧範囲で安定性能

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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