Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14V116N-BZ30XIT

データシート
パッケージ

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CY14V116N-BZ30XIT
CY14V116N-BZ30XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    30 ns
推奨
OPN
CY14V116N-BZ30XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14V116N-BZ30XITは16-Mbit（1024K × 16）のnvSRAMで、各セルに高速SRAMとQuantumTrap不揮発ストレージを統合します。小型VCAPコンデンサで電源断時にAutoStoreを自動実行し、ハードウェアまたはソフトウェアでSTORE/RECALL制御が可能です。2.7 V～3.6 Vコア、1.65 V～1.95 V I/O、-40°C～85°C動作、165ボールFBGA、30 nsアクセス時間、20年データ保持。

特長

  • 16-Mbit nvSRAM(1024K×16)
  • 各セルにQuantumTrap NVM
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • HSB端子/ソフトでSTORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • 全セル並列STORE/RECALL
  • STORE/RECALL中はR/W禁止
  • BHE/BLEで8ビットアクセス
  • VCC=2.7 V～3.6 V
  • VCCQ=1.65 V～1.95 V
  • スリープ電流10 µA
  • データ保持20年

利点

  • 停電でもデータ保持
  • 不揮発バックアップに電池不要
  • 電源断時の保護が簡単
  • 保存/復元の制御が柔軟
  • 電源投入後に迅速に復帰
  • STORE/RECALLが予測可能
  • 8/16ビットバスに対応
  • 低スリープで待機電力削減
  • VCC/VCCQ分離で電平整合
  • 頻繁な保存でも高耐久
  • 並列転送で停止時間を削減
  • SRAM未書込み時STORE抑制

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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