CY14V116G7-BZ30XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14V116G7-BZ30XI

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CY14V116G7-BZ30XI
CY14V116G7-BZ30XI


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    30 ns

OPN
CY14V116G7-BZ30XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
CY14V116G7-BZ30XIは、SRAMとSONOS不揮発性素子を組み合わせた16Mビットの並列nvSRAMで、ONFI 1.0に準拠した非同期NANDインターフェースを介してアクセスされます。最大33 MT/sのI/O性能と30 nsのアクセス時間で、x16のデータI/Oをサポートします。電源オフ時のハンズオフAutoStoreとソフトウェアまたは電源オン時のRECALLにより、165ボールFBGAで85℃で20年間、100万回のSTOREサイクルでデータを保護します。

特長

  • 16 MビットnvSRAM (SRAM + SONOS)
  • ONFI 1.0非同期NANDインターフェース
  • x8またはx16データ バス
  • I/Oあたり33 MT/s、最大528 Mbps
  • アクセス時間30 ns (I/O)
  • 電源断時のAutoStore (VCAP)
  • ソフトウェアまたはHSBハードウェアによるSTORE
  • 電源投入時にSRAMへRECALL
  • ステータス レジスタ (pass/fail、WP)
  • 85℃で20年間のデータ保持
  • 不揮発性STOREサイクル1,000,000回
  • VCC 2.7~3.6 V; VCCQ 1.70~1.95 V

利点

  • SRAM並みの速度で読み書き
  • NANDスタイルのホストインターフェースをそのまま導入可能
  • x16オプションは帯域幅を向上させます
  • 528 Mbpsで高速転送が可能
  • 読み取りレイテンシを30 ns短縮
  • AutoStoreは停電時にも保護します
  • HW/SW STOREはシステム制御に適合します
  • RECALLは起動時にデータを復元します
  • ステータスビットは監視を簡素化します
  • 20年間のデータ保持でデータを保護
  • 1M STOREサイクルでアップデートをサポート
  • 分割レールにより段差移動が容易になります

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ