CY14V101Q3-SFXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14V101Q3-SFXI

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CY14V101Q3-SFXI
CY14V101Q3-SFXI


製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 周波数
    30 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

OPN
CY14V101Q3-SFXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
梱包サイズ 920
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
梱包サイズ 920
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14V101Q3-SFXIは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた1Mビット (128K×8) のSPI nvSRAMです。外部VCAPコンデンサーを使用したり、ハードウェア/ソフトウェアのSTORE機能を使用したりすることで、電源オフ時にSRAMから不揮発性セルにデータを自動的に保存できます。RECALL機能は、電源投入時または命令によってデータを復元します。動作電圧は3.0 V~3.6 V、VCCQは1.65 V~1.95 V、SCKは最大30 MHzです。

特長

  • 1 Mbit nvSRAM、128 K × 8
  • 電源断時のAutoStore (VCAP)
  • HSBピンまたはSPIコマンドによるSTORE
  • 電源投入時またはSPIコマンドによるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性素子
  • SPIクロック最大30 MHz
  • SPIモード0 (0,0) および3 (1,1)
  • VCC 3.0 V~3.6 V
  • VCCQ 1.65 V~1.95 V
  • 30 MHz動作時の平均アクティブ電流: 10 mA
  • データ保持期間: 20年
  • STOREサイクル耐久性: 100万回

利点

  • 電源喪失時のSRAMデータ保持
  • シャットダウン時の自動バックアップ
  • 安全なコミットのためのオンデマンドSTORE
  • 電源復旧後の迅速な復元
  • 信頼性の高い不揮発性データストレージ
  • 30 MHz SPIによる高速転送
  • 一般的なSPIモード0/3ホストに対応
  • 1.8 V I/O MCUとの容易なインターフェース
  • 10 mAアクティブ時の消費電力低減
  • 低待機電流による待機時消費電力削減
  • 20年間のデータ保持による保守作業低減
  • ログ記録のための高いSTORE耐久性

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ