CY14V101NA-BA25XIT

データシート

パッケージ

CY14V101NA-BA25XIT

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

1 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

64K x 16
認定

Industrial

	推奨
OPN	CY14V101NA-BA25XIT
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ	2000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ	2000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY14V101NA-BA25XITは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた1Mビット (64K×16) の並列nvSRAMです。25 nsのアクセス速度と無制限のSRAM読み書きサイクルに加え、最大100万回の不揮発性STOREサイクルと20年間のデータ保持をサポートします。電源オフ時の自動STOREにはVCAPコンデンサーを使用し、電源投入時またはソフトウェアによってRECALLが行われます。48ボールFBGAパッケージで、-40℃～85℃の温度範囲において、コア電圧3.0 V～3.6 V、VI/O電圧1.65 V～1.95 Vで動作します。

特長

1 MビットnvSRAM (128Kx8/64Kx16)
25 ns および 45 ns のアクセス時間
電源断時のAutoStore (VCAP)
HSBピンまたはソフトウェア経由でSTORE
電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
データ保持期間: 20年
STOREサイクル: 100万回 (QuantumTrap)
SRAM読み出し/書き込みおよびRECALLは無制限
コアVCC: 3.0 V～3.6 V
I/O VCCQ: 1.65 V～1.95 V
スタンバイ電流ISB: 最大8 mA
入力リーク電流IIX: 最大 ±1 μA

利点

SRAMのような高速ランダムアクセス
電源喪失時の自動バックアップ
バッテリーバックアップSRAMの回避
チェックポイント用の手動STORE
電源復旧後の状態復元
20年間の保管寿命に対応するデータ保持
頻繁な不揮発性保存操作に対応する耐久性
通常のSRAM使用における摩耗なし
標準的な3.3 Vコア電源レールに適合
1.8 Vロジックレベルへのインターフェース
スタンバイ時の待機電力低減
低リークによるバス負荷低減

アプリケーション

デザインリソース

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }

CY14V101NA-BA25XIT

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

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