CY14B116S-BZ25XIT

データシート

パッケージ

CY14B116S-BZ25XIT

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2031
Density

16 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

512Kb x 32
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14B116S-BZ25XIT
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	1000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	1000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY14B116S-BZ25XIは、512K×32の構成で構成された16MビットのnvSRAMであり、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせたものです。-40～85 ℃ の範囲で動作し、2.7 V～3.6 Vの電源に対応します。また、19.8～82.0 µFのVCAPコンデンサーを用いて電源断時に自動STOREを実行し、電源投入時またはソフトウェアによってRECALLを行います。165ボールFBGAにおける25 nsのアクセス速度により、産業システム向けの不揮発性データロギングおよび状態保持が可能になります。

特長

16 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
QuantumTrap不揮発性セル技術
QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
データ保持期間: 20年
SRAM読み出し/書き込み/RECALLは無制限
スリープモード電流: 最大10 μA
電源投入時のRECALL時間: 30 ms
STOREサイクル時間: 8 ms
VCAPコンデンサ: 19.8 μF～82 μF

利点

電源喪失時のデータ保持
データ保持にバッテリー不要
柔軟な保存/復元制御
電源復旧後の高速再起動
頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
SRAM書き込みによる摩耗なし
保存データの長寿命
スリープによる待機時消費電力削減
10 µAスリープ対応の低消費電力システム
予測可能なシャットダウン時保存時間
シンプルなホールドアップコンデンサーによる設計容易化
STORE/RECALL中のアクセス遮断

アプリケーション

デザインリソース

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }

CY14B116S-BZ25XIT

Content could not be loaded

製品仕様情報

特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14B116S-BZ25XIT

Content could not be loaded

製品仕様情報