CY14B116S-BZ25XI

データシート

パッケージ

CY14B116S-BZ25XI

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2031
Density

16 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
組織 (X x Y)

512Kb x 32
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14B116S-BZ25XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	105
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	105
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY14B116S-BZ25XIは、512K×32のSRAMアレイとQuantumTrap不揮発性ストレージを備えた16MビットのnvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、アクセス時間は25 nsです。データは、外部VCAPコンデンサー (19.8 µF～82.0 µF) を使用して電源オフ時に自動的にSTOREされ、ハードウェアまたはソフトウェアによるSTORE/RECALLオプションで電源オン時にRECALLされます。-BZ25XI型は165ボールのFBGAです。

特長

16 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
QuantumTrap不揮発性セル技術
QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
データ保持期間: 20年
SRAM読み出し/書き込み/RECALLは無制限
スリープモード電流: 最大10 μA
電源投入時のRECALL時間: 30 ms
STOREサイクル時間: 8 ms
VCAPコンデンサ: 19.8 μF～82 μF

利点

電源喪失時のデータ保持
データ保持にバッテリー不要
柔軟な保存/復元制御
電源復旧後の高速再起動
頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
SRAM書き込みによる摩耗なし
保存データの長寿命
スリープによる待機時消費電力削減
10 µAスリープ対応の低消費電力システム
予測可能なシャットダウン時保存時間
シンプルなホールドアップコンデンサーによる設計容易化
STORE/RECALL中のアクセス遮断

アプリケーション

デザインリソース

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CY14B116S-BZ25XI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

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