Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14B116M-ZSP25XIT

データシート
パッケージ

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CY14B116M-ZSP25XIT
CY14B116M-ZSP25XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • Density
    16 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B116M-ZSP25XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B116M-ZSP25XITは、16MビットのnvSRAM (1024K×16) で、RTCを内蔵し、QuantumTrap不揮発性セルを使用することで、20年間のデータ保持と100万回のSTOREサイクルを実現しています。25 nsのアクセスと、VCAPコンデンサー (19.8 µF～82.0 µF) を使用した電源オフ時のAutoStore機能に加え、ソフトウェアまたはピン操作によるSTORE/RECALL機能をサポートしています。54ピンTSOP IIパッケージで、-40℃～+85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの電圧で動作します。

特長

  • 16-Mbit nvSRAM(SRAM+NV)
  • 2048K×8/1024K×16構成
  • 25 ns / 45 nsアクセス
  • 電源断でAutoStore
  • SWまたはHSBでSTORE
  • 電源投入またはSWでRECALL
  • STORE耐久100万回
  • データ保持20年
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • スリープ中もRTC動作
  • スリープ電流最大10 µA
  • RTC:アラーム/WDT/方形波

利点

  • NVデータ安全性を備えたSRAM高速性
  • x8またはx16レガシーバス対応
  • 25 ns/45 nsによる待機状態削減
  • 自動保存によるデータ損失防止
  • イベント時オンデマンドSTORE
  • 電源投入後の高速復元
  • データロギングに対応するSTORE耐久性
  • 長期データ保持によるメンテナンス削減
  • 2.7～3.6 V単一電源による設計容易化
  • スリープモードによるシステム消費電力低減
  • 10 µAスリープによるバッテリー寿命延長
  • RTCブロックによる外部IC削減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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