CY14B108M-ZSP25XI

データシート

パッケージ

個.

在庫あり

CY14B108M-ZSP25XI

個.

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

8 MBit
アラーム

Y
インターフェース

Parallel
ウォッチドッグタイマー

Y
ピークリフロー温度

260 °C
リアルタイムクロック

Y
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

512Kb x 16
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14B108M-ZSP25XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ	216
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ	216
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY14B108M-ZSP25XIは、リアルタイムクロックを内蔵した8Mビット (512K×16) のパラレルnvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、QuantumTrap不揮発性素子を使用することで20年間のデータ保持と100万回のSTORE耐久性を実現し、SRAMの読み書き回数は無制限です。電源オフ時の自動STOREと電源オン時のRECALLに加え、アラームおよびウォッチドッグタイマー機能を搭載し、データロギングおよび産業制御をサポートします。

特長

8 MビットnvSRAM + 内蔵RTC
1024 K×8または512 K×16構成
電源オフ時のハンズオフ自動保存 (AutoStore)
ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
QuantumTrap不揮発性素子
不揮発性STORE動作: 100万回
データ保持期間: 20年
2.7 V～3.6 VのVCC動作
RTCバックアップ電流: 最大0.5 μA
RTCバッテリー入力: 1.8 V～3.6 V
読み出しサイクル時間: 25 nsまたは45 ns

利点

SRAMバッテリーなしでデータを保持
停電時保存に伴うオーバーヘッドなし
柔軟な保存/復元システム制御
不揮発性技術による信頼性向上
ログ記録のための高いSTORE耐久性
20年間のデータ保持によるサービスリスク低減
3 Vレールは一般的な組み込みボードに対応
超低消費電力RTCバックアップによる寿命延長
コイン型電池またはスーパーキャパシタによるバックアップに対応
リアルタイムタスク向けの高速SRAM読み出し
電源投入時のRECALLによる高速状態復元
内蔵RTCによる外部部品削減

アプリケーション

デザインリソース

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }

CY14B108M-ZSP25XI

Content could not be loaded

製品仕様情報

特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14B108M-ZSP25XI

Content could not be loaded

製品仕様情報