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CY14B104NA-BA45XE
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

CY14B104NA-BA45XE

生産終了
データシート
パッケージ

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CY14B104NA-BA45XE
CY14B104NA-BA45XE
データシート

製品仕様情報

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    45 ns
OPN
CY14B104NA-BA45XE
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 598
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 598
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B104NA-BA45XEは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性セルを組み合わせた4Mビット (256K×16) の車載用nvSRAMです。動作電圧は3.0 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+125℃、アクセス時間は45 nsです。データは、電源オフ時に61 µF～180 µFのVCAPコンデンサーを介して自動的に保存され、電源オン時に呼び出されます。10万回の不揮発性STOREサイクルと、構成データに対する1年間のデータ保持をサポートします。

特長

  • 4 MビットnvSRAM (256K × 16)
  • BHE/BLEバイトを備えた16ビット バス
  • 25 ns/45 ns非同期アクセス
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピンまたはソフトウェア シーケンスでSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェア シーケンスによるRECALL
  • 全セルの並列STORE/RECALL
  • VCAPコンデンサ: 61～180 μF
  • STORE/RECALL中はHSBがLOW (ビジー)
  • STORE/RECALL中はSRAMの読み出し/書き込みがブロック
  • SRAMの読み出し/書き込み/RECALLは無制限
  • 不揮発性STORE操作は最大100万回

利点

  • 不揮発性バックアップ付きSRAM速度
  • AutoStoreは停電時にデータを保存します
  • HSB/ソフトウェア制御による柔軟性向上
  • 電源投入時のRECALLによる高速状態復元
  • 並列STORE/RECALLによるダウンタイム削減
  • Byte enableによるバスアクティビティ削減
  • VCAP容量の定義による設計容易化
  • HSBビジーによるデータ破損防止
  • NVM更新中の読み出し/書き込みブロック
  • 無限のSRAMサイクルによる摩耗回避
  • 高いSTORE耐久性によるサービスコスト低減
  • 長期データ保持による電源オフ後のデータ保持

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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