CY14B104M-ZSP45XI

データシート

パッケージ

CY14B104M-ZSP45XI

EA.

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

4 MBit
アラーム

Y
インターフェース

Parallel
ウォッチドッグタイマー

Y
ピークリフロー温度

260 °C
リアルタイムクロック

Y
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧 (範囲)

2.7 V ～ 3.6 V
組織 (X x Y)

256Kb x 16
認定

Industrial
速度

45 ns

	推奨
OPN	CY14B104M-ZSP45XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ	540
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:		EA. 個の在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ	540
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

EA.

個の在庫あり

CY14B104M-ZSP45XIは、リアルタイムクロックを内蔵した4Mビット (256K×16) のnvSRAMで、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせたものです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、電源オフ時のAutoStore (ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE機能付き) をサポートし、電源オン時またはソフトウェアによるRECALL機能も備えています。54ピンTSOP IIパッケージで、20年間のデータ保持期間、最大100万回のSTOREサイクル、45 nsのアクセス速度を実現します。

特長

4-Mbit nvSRAM+RTC
512Kx8/256Kx16バス
3.0 V動作(2.7-3.6 V)
電源断でAutoStore(VCAP)
ソフト/HSBでSTORE
ソフト/電源投入でRECALL
STORE耐久100万回
データ保持20年
25 ns/45 ns SRAM周期
WDTとアラーム搭載
RTC電池/コンデンサバックアップ
RTCバックアップ0.5 uA最大

利点

時間とデータを1つのICに保持
8ビットまたは16ビットのバス設計に対応
標準的な3 Vレールに対応
停電時にデータを自動的に保存します
SWまたはPIN用の柔軟な保存トリガー
電源復旧後の高速復元
頻繁な保存操作に対応
重要なデータを20年間保存
25 nsで高速SRAMアクセスが可能
アラーム/ウォッチドッグによるMCU負荷低減
主電源オフ時のRTC維持
µAバックアップによるバッテリー寿命延長

用途

デザインリソース

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CY14B104M-ZSP45XI

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利点

用途

ドキュメント

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