CY14B104M-ZSP45XI

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CY14B104M-ZSP45XI

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

4 MBit
アラーム

Y
インターフェース

Parallel
ウォッチドッグタイマー

Y
ピークリフロー温度

260 °C
リアルタイムクロック

Y
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

256Kb x 16
認定

Industrial
速度

45 ns

	推奨
OPN	CY14B104M-ZSP45XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ	540
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ	540
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY14B104M-ZSP45XIは、リアルタイムクロックを内蔵した4Mビット (256K×16) のnvSRAMで、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせたものです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、電源オフ時のAutoStore (ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE機能付き) をサポートし、電源オン時またはソフトウェアによるRECALL機能も備えています。54ピンTSOP IIパッケージで、20年間のデータ保持期間、最大100万回のSTOREサイクル、45 nsのアクセス速度を実現します。

特長

4MビットnvSRAM + RTC
512 K x 8 または 256 K x 16 バス
3.0 V 動作 (2.7 V ～ 3.6 V)
VCAP を介したパワーダウン時の自動保存 (AutoStore)
ソフトウェアまたはHSBピンで保存
ソフトウェアまたは電源投入による呼び出し
不揮発性STOREサイクル: 100万回
20 年間のデータ保持
25 ns / 45 ns SRAM サイクルタイム
ウォッチドッグタイマーと時計アラーム
RTCバックアップ：バッテリーまたはコンデンサ
RTC バックアップ電流最大 0.5 μA

利点

時間とデータを1つのICに保持
8ビットまたは16ビットのバス設計に対応
標準的な3 Vレールに対応
停電時にデータを自動的に保存します
SWまたはPIN用の柔軟な保存トリガー
電源復旧後の高速復元
頻繁な保存操作に対応
重要なデータを20年間保存
25 nsで高速SRAMアクセスが可能
アラーム/ウォッチドッグによるMCU負荷低減
主電源オフ時のRTC維持
µAバックアップによるバッテリー寿命延長

アプリケーション

デザインリソース

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CY14B104M-ZSP45XI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

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開発者コミュニティ

CY14B104M-ZSP45XI

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