Active and preferred
RoHS準拠

CY14B104LA-BA25XI

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パッケージ

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CY14B104LA-BA25XI
CY14B104LA-BA25XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY14B104LA-BA25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 299
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 299
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B104LA-BA25XIは、SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージを組み合わせた4Mビット並列nvSRAM (512K×8) です。本製品は、動作温度範囲 -40℃～85℃で、2.7 V～3.6 Vの単一電源で動作し、25 nsのアクセス速度を実現します。48ボールFBGAパッケージで提供されます。データは、小型のVCAPコンデンサーを使用して電源オフ時に自動的にSTOREされ、電源オン時にRECALLされます。STORE/RECALLは、ソフトウェアまたはデバイスのピンによって開始することもできます。

特長

  • 4 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • 電源断時の自動保存 (AutoStore)
  • 電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
  • ソフトウェアまたはハードウェア ピンによるSTORE
  • QuantumTrap 不揮発性素子
  • 2.7 V～3.6 V単電源
  • 動作温度: -40℃～+85℃
  • データ保持期間: 20年
  • 不揮発性STORE動作: 100万回
  • VCAP外付けコンデンサ: 61～180 μF
  • VSWITCH低電圧トリガー: 2.65 V
  • STORE時間 tSTORE: 最大8 ms

利点

  • SRAMのような即時アクセス
  • 停電時保存用ファームウェア不要
  • 電源復旧後の高速復元
  • 柔軟な保存制御オプション
  • EEPROMと比較した高信頼性NVM
  • 安定化3 V電源レールに対応
  • 過酷な温度環境下での安定動作
  • 長期データ保持による設定保護
  • 頻繁な保存操作に対応するSTORE耐久性
  • 小型コンデンサーでバックアップ不要の保存を実現
  • ブラウンアウト検出により保存をトリガー
  • 短いSTORE時間によるダウンタイム抑制

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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