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RoHS準拠

CY14B104K-ZS25XIT

データシート
パッケージ

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CY14B104K-ZS25XIT
CY14B104K-ZS25XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B104K-ZS25XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B104K-ZS25XITは、リアルタイムクロックを内蔵した4Mビット (512K×8) のnvSRAMで、SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージを組み合わせたものです。電源オフ時のAutoStore、ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE/RECALL機能をサポートし、100万回のSTORE耐久性と20年間のデータ保持期間を実現しています。動作電圧は2.7 V～3.6 V、アクセス時間は25 ns、動作温度範囲は-40℃～85℃で、ウォッチドッグおよびアラーム割り込み機能を備えた44ピンTSOP IIパッケージです。

特長

  • 4-Mbit nvSRAM+RTC
  • 512Kx8/256Kx16バス
  • 3.0 V動作(2.7-3.6 V)
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • ソフト/HSBでSTORE
  • ソフト/電源投入でRECALL
  • STORE耐久100万回
  • データ保持20年
  • 25 ns/45 ns SRAM周期
  • WDTとアラーム搭載
  • RTC電池/コンデンサバックアップ
  • RTCバックアップ0.5 uA最大

利点

  • 時間とデータを1つのICに保持
  • 8ビットまたは16ビットのバス設計に対応
  • 標準的な3 Vレールに対応
  • 停電時にデータを自動的に保存します
  • SWまたはPIN用の柔軟な保存トリガー
  • 電源復旧後の高速復元
  • 頻繁な保存操作に対応
  • 重要なデータを20年間保存
  • 25 nsで高速SRAMアクセスが可能
  • アラーム/ウォッチドッグによりMCUの負荷を軽減
  • 主電源オフ時でもRTCを維持
  • uAバックアップによりバッテリー寿命が延長

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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