CY14B101NA-ZS25XIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B101NA-ZS25XIT

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B101NA-ZS25XIT
CY14B101NA-ZS25XIT
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    1 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns

推奨
OPN
CY14B101NA-ZS25XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B101NA-ZS25XITは、QuantumTrap技術を採用した不揮発性素子を用いた64K×16構成の1MビットnvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、アクセス時間は25 nsです。データは、電源オフ時に61～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して自動的にSTOREされます。STORE/RECALLはソフトウェアまたはHSBピンを介しても実行できます。44ピンTSOP IIパッケージで、20年間のデータ保持と100万回のSTOREサイクルに対応します。

特長

  • QuantumTrap nvSRAMアーキテクチャ
  • 不揮発性STORE機能付き1 MビットSRAM
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピンまたはソフトウェア シーケンスでSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェア シーケンスによるRECALL
  • tSTORE: 最大8 ms
  • tHRECALL: 最大20 ms
  • tRECALL最大200 μs
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • データ保持期間: 20年
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • 2.65 V 未満の VCC 低下による動作禁止

利点

  • 突然の停電時のデータ保持
  • NVM管理用ファームウェアを削減
  • 電源復旧後の高速復元
  • ハードウェア制御とソフトウェア制御の両方に対応
  • 予測可能な保存時間 (最大8 ms)
  • 予測可能なブートリコール (20 ms)
  • ブラウンアウト時の書き込み破損なし
  • 3 V電源による一般的なロジックレールに適合
  • ログ記録に適した20年間のデータ保持
  • 100万回のSTORESによる頻繁な保存対応
  • 高トラフィックに対応する無制限のSRAM読み出し/書き込み
  • ビジーフラグ (HSB) によりタイミングを簡素化
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ