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CY14B101KA-ZS45XI
生産終了
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RoHS対応

CY14B101KA-ZS45XI

生産終了
データシート
パッケージ

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CY14B101KA-ZS45XI
CY14B101KA-ZS45XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
CY14B101KA-ZS45XI
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B101KA-ZS45XIは、リアルタイムクロックを内蔵した1MビットnvSRAM (128K×8) で、SRAMの速度と不揮発性QuantumTrapストレージを組み合わせた製品です。動作電圧範囲は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、45 nsアクセスに対応し、VCAPに接続された小型コンデンサーを使用して電源オフ時にAutoStoreを実行します。データSTORE/RECALLは、ソフトウェアまたはHSBピンによって開始することも可能で、データは20年間保持されます。

特長

  • 1 MビットnvSRAM + QuantumTrap NVM
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピン経由のハードウェアSTOREリクエスト
  • アドレス シーケンスによるソフトウェアSTORE/RECALL
  • 全セルの並列STORE/RECALL
  • SRAMの読み出し/書き込みは無制限
  • 不揮発性メモリからのRECALLは無制限
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • 閏年追跡機能付きRTC
  • INT出力付きRTCアラーム
  • RTCバックアップ電流: 標準0.35 μA

利点

  • AutoStoreは停電時にデータを保存
  • 小型コンデンサーによりSTORE用バッテリーが不要
  • HSBピンで即時保存が可能
  • SWサイクルには追加のインターフェースが不要
  • パラレル転送により保存時間を最小化
  • SRAMのような高速アクセス
  • 摩耗制限なしで状態を復元
  • データログに適した高いSTORE耐久性
  • 長期間のデータ保持により、保守サービスの必要性を低減
  • 停電時にも時刻と日付を保持
  • アラーム/INTは時間指定のウェイクアップが可能
  • 低バックアップ電流で製品を長寿命化

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ