Active and preferred
RoHS準拠

BSZ070N08LS5

OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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BSZ070N08LS5
BSZ070N08LS5
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    1800 pF
  • Coss
    280 pF
  • ID (@25°C) max
    40 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    69 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    14.1 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    9.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    9.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    7 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.8 K/W
  • Rth max
    1.8 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.43
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
BSZ070N08LS5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.

機能

  • Low R DS(on) in small package
  • Low gate charge
  • Lower output charge
  • Logic level compatibility

利点

  • Higher power density designs
  • Higher switching frequency
  • Reduced parts count
  • Driven directly from microcontrollers
  • System cost reduction

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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