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BSZ039N06NS
生産終了
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RoHS対応

BSZ039N06NS

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Significantly reduced RDS(on) for increased system efficiency with best-in-class OptiMOS™ 5 60V power MOSFET in PQFN 3.3x3.3mm package
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BSZ039N06NS
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製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    102 A
  • ID (@25°C) (最大)
    102 A
  • IDpuls (最大)
    408 A
  • Ptot (最大)
    69 W
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.9 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.46
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N
OPN
BSZ039N06NSATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
With BSZ039N06NS OptiMOS™ 5 60V power MOSFET Infineon expands its’ high performance MOSFET portfolio for PQFN 3.3x3.3mm package, enabling an increase in system efficiency for target applications such as server power supply and telecom bricks as well as portable chargers. The benefits are clearly visible in terms of a reduced system temperature, the improved performance leads to a more relaxed thermal management contributing further to shrink of the system size.

アプリケーション

汎用モータードライブ
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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