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RoHS準拠

BSG0813NDI

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BSG0813NDI
BSG0813NDI

Product details

  • Ciss
    2200 pF, 780 pF
  • Coss
    1300 pF, 390 pF
  • ID (@25°C) max
    50 A, 50 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    2.5 W, 2.5 W
  • QG (typ @4.5V)
    5.6 nC, 15 nC
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    4 mΩ, 1.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    4 mΩ, 1.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    3 mΩ, 1.2 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Rth
    4.3 K/W, 2.2 K/W
  • VDS max
    25 V, 25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    Power Block 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.73
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N+N
  • 特別な機能
    Monolithically Integrated Schottky-like Diode
OPN
BSG0813NDIATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 5 Power Block is a leadless SMD package in a 5.0x6.0mm² package outline, including a low-side and a high-side MOSFET in a synchronous buck converter configuration. By replacing two separate discrete packages, such as SO8 or SuperSO8, with the OptiMOS™ 5 Power Block, customers can shrink their designs up to 85%. Standardizing power packages benefits the customer, as the number of different package outlines available in the market place is minimized.

機能

  • 50A max average load current
  • Source-down low side MOSFET
  • Internally connected low and high side
  • Kelvin connection for efficient driving

利点

  • Compact layout for DC-DC converters
  • Optimized layout w/ low loop inductance
  • Good thermal performance

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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