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BSC082N10LS G
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BSC082N10LS G

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BSC082N10LS G
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製品仕様情報

  • Ciss
    5600 pF
  • Coss
    710 pF
  • ID (最大)
    100 A
  • IDpuls (最大)
    400 A
  • Ptot (最大)
    156 W
  • QG (typ @10V)
    78 nC
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    11 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    11 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.2 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.8 K/W
  • Rth
    0.8 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (typ) 範囲
    1.2 V～2.4 V
  • VGS(th) (typ)
    1.85 V
  • パッケージ
    SuperSO8
  • 予算価格€/ 1k
    1.06
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N
OPN
BSC082N10LSGATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest RDS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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