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BSB044N08NN3 G
生産終了
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鉛フリー

BSB044N08NN3 G

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BSB044N08NN3 G
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製品仕様情報

  • Ciss
    4300 pF
  • Coss
    1100 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    90 A
  • IDpuls (最大)
    360 A
  • Ptot (最大)
    78 W
  • QG (typ @10V)
    55 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.4 mΩ
  • Rth
    1 K/W
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～3.5 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    DirectFET (M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MN-25
  • 予算価格€/ 1k
    1.37
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 極性
    N

OPN
BSB044N08NN3GXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-2
パッケージ名 DirectFET (M)
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-2
パッケージ名 DirectFET (M)
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
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OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

特長

  • Optimized technology for DC-DC converters
  • Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)
  • Superior thermal resistance
  • Dual sided cooling
  • Low parasitic inductance
  • Low profile (<0,7mm)
  • N-channel, normal level
  • 100% avalanche tested
  • Pb-free plating; RoHS compliant
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ