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BGA9V1MN9
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

BGA9V1MN9

生産終了
データシート
パッケージ

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BGA9V1MN9
BGA9V1MN9
データシート


製品仕様情報

  • Frequency
    3300 - 4200 MHz
  • ICC
    5.8 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • IP1dB
    -18 dBm
  • NF
    0.75 dB
  • P-1dB
    -18 dBm
  • VCC 動作時
    1.1 - 2.0 V
  • ゲイン
    21 dB
  • サイズ
    1.1 x 1.1 mm²

OPN
BGA9V1MN9E6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 12000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 12000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
The BGA9V1MN9 is a low noise amplifier for LTE and 5G which covers a wide frequency range from 3.3 GHz to 4.2 GHz. The LNA provides up to 21.0 dB gain and 0.75 dB noise figure at a current consumption of 5.8 mA in the application configuration described in Chapter 7. With the Gain Step feature the gain and linearity can be adjusted to increase the system dynamic range and to accommodate to changing interference scenarios. The BGA9V1MN9 supports ultra-low bypass current of 2 µA and 1.2 V operating voltage to reduce power consumption. It operates from 1.1 V to 2.0 V supply voltage over temperature. The compact9 pin TSNP-9 package with the dimension of 1.1 x 1.1 mm helps to save space on the PCB.

特長

  • Power gain: 21.0 dB
  • Low noise figure: 0.75 dB
  • Low current consumption: 5.8 mA
  • Frequency range from 3.3 to 4.2 GHz
  • Supply voltage: 1.1 to 2.0 V
  • Integrated MIPI RFFE interface operating in 1.65 to 1.95 V voltage range
  • Software programmable MIPI RFFE USID
  • USID select pin
  • Small form factor 1.1 mm x 1.1 mm
  • High EMI robustness
  • RoHS and WEEE compliant package
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ