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鉛フリー

BGA9C1MN9

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パッケージ

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BGA9C1MN9
BGA9C1MN9
データシート

Product details

  • ICC
    5.6 mA
  • IIP3
    -1 dBm
  • IP1dB
    -14 dBm
  • NF
    1 dB
  • P-1dB
    -14 dBm
  • VCC 動作時
    1.1 - 2.0 V
  • ゲイン
    19 dB
  • サイズ
    1.1 x 1.1 mm²
  • 周波数
    4400 - 5000 MHz
推奨
OPN
BGA9C1MN9E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 12000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 -
包装サイズ 12000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The BGA9C1MN9 is a low noise amplifier for LTE and 5G which covers a wide frequency range from 4.4 GHz to 5.0 GHz. The LNA provides up to 19.0 dB gain and 0.9 dB noise figure at a current consumption of 5.6 mA in the application configuration described in Chapter 7. With the Gain Step feature the gain and linearity can be adjusted to increase the system dynamic range and to accommodate to changing interference scenarios. The BGA9C1MN9 supports ultra-low bypass current of 2 µA and 1.2 V operating voltage to reduce power consumption. It operates from 1.1 V to 2.0 V supply voltage over temperature. The compact9 pin TSNP-9 package with the dimension of 1.1 x 1.1 mm helps to save space on the PCB.

機能

  • Power gain: 19.0 dB
  • Low noise figure: 0.9 dB
  • Low current consumption: 5.6 mA
  • Frequency range from 4.4 to 5.0 GHz
  • Supply voltage: 1.1 to 2.0 V
  • Integrated MIPI RFFE interface operating in 1.65 to 1.95 V voltage range
  • Software programmable MIPI RFFE USID
  • USID select pin
  • Small form factor 1.1 mm x 1.1 mm
  • High EMI robustness
  • RoHS and WEEE compliant package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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