Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BGA7P220

BGA7P220 driver amplifier
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BGA7P220
BGA7P220
EA.
データシート

Product details

  • ACLRの
    45 dBc
  • OIP3
    32.2 dBm
  • OP1dB
    27.5 dBm
  • ゲイン
    34.4 dB
  • ゲイン平坦性
    0.5 dB
  • ノイズ指数
    3.5 dB
  • パッケージ (mm²)
    3.0 x 3.0
  • 周波数範囲
    2.3 GHz to 2.7 GHz
  • 電源電圧
    3.3 V
推奨
OPN
BGA7P220E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-16
パッケージ名 -
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGA7P220 is a 2.3 to 2.7 GHz low-band driver amplifier that can be used as pre-driver or driver in RF applications from massive MIMO 5G base stations to small cells and access points. The SiGe based amplifier offers best RF performance and a high OP1dB: 27.5 dBm. The driver amplifier is typically placed between transceiver IC and power amplifier but can also be used as power amplifier for low power applications. The driver amplifier boasts high linearity and an excellent wide-band gain flatness of <0.5 dB for optimum linearization results of the driven PA.   

機能

  • Supply voltage: 3.3 V
  • Gain flatness: <0.5 dB
  • High gain: 34.4 dB
  • High OP1dB: 27.5 dBm
  • Low-band: 2.3-2.7 GHz
  • Packaging: TSNP-16-12

利点

  • Internal matching: No external matching components
  • High gain and high power: 27.5 dBm OP1dB and 34.4 dB gain
  • Excellent linearity with -45 dBc ACLR  
  • Wide BW covers 2.3-2.7 GHz
  • Differential input saves an external balun

用途

図

Diagram_BGA7P220
Diagram_BGA7P220
Diagram_BGA7P220 Diagram_BGA7P220 Diagram_BGA7P220
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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