Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BFP842ESD

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BFP842ESD
BFP842ESD
EA.
データシート

Product details

  • fT
    57 GHz
  • Gmax
    26 dB @900 MHz
  • IC max
    40 mA
  • NFmin
    0.45 dB @900 MHz
  • OIP3 (@900 MHz)
    22.5 dBm
  • OP1dB (@900 MHz)
    7 dBm
  • Ptot
    150 mW
  • VCEO max
    3.25 V
推奨
OPN
BFP842ESDH6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
SOT343
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SOT343
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BFP842ESD is a high performance RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 2.3 - 3.5 GHz LNA applications.

機能

  • Unique combination of high end RF performance and robustness: 16 dBm maximum RF input power, 1.5kV HBM ESD hardness
  • High transition frequency fT = 57 GHz enables best in class noise performance at high frequencies: NFmin = 0.65 dB at 3.5 GHz, 2.5 V, 5 mA
  • High gain Gma = 17.5 dB at 3.5 GHz, 2.5 V, 15 mA
  • OIP3 = 25.5 dBm at 3.5 GHz, 2.5 V, 15 mA
  • Suitable for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V (2.85 V, 3.3 V, 3.6 V require corresponding collector resistor

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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