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BFP740F
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFP740F

生産終了
データシート
パッケージ
ボード

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BFP740F
BFP740F
データシート

製品仕様情報

  • fT
    45 GHz
  • Gmax
    28 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    45 mA
  • NFmin
    0.45 dB @900 MHz
  • OIP3
    25 dBm
  • OP1dB
    11 dBm
  • Ptot
    160 mW
  • VCEO (最大)
    4 V
  • パッケージ
    TSFP-4
OPN
BFP740FH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSFP-4-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSFP-4-1
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The BFP740F is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT).

特長

  • Low noise figure NFmin = 1 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
  • High gain Gms: 21 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
  • OIP3 = 24 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
  • Low profile and small form factor leadless package

アプリケーション

家庭用ロボット
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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