新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

BAT24-02LS

EA.
在庫あり

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BAT24-02LS
BAT24-02LS
EA.

Product details

  • C @VR=0V
    0.2 pF
  • IF max
    110 mA
  • VF
    0.25 V
  • VR max
    4 V
  • コンフィギュレーション
    Single
OPN
BAT2402LSE6327XTSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon RF Schottky Diode is a silicon low barrier N-type of device with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Its low barrier height, small forward voltage diode and low junction capacitance, make BAT24 - 02LS a suitable choice for mixer and detector functions in applications whose frequencies are as high as 24 GHz

機能

  • Low inductance LS = 0.2 nH (typical)
  • Low capacitance C = 0.2 pF (typical) at 1 MHz
  • TSSLP-2-1 package (0.62 mm x 0.32 mm x 0.31 mm) with a 0201 footprint
  • Pb-free (RoHS compliant) and halogen free

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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