BAT15-02LS
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BAT15-02LS

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BAT15-02LS
BAT15-02LS

製品仕様情報

  • C @VR=0V
    0.2 pF
  • IF (最大)
    110 mA
  • VF (最大)
    0.32 V
  • VF
    0.25 V
  • VR (最大)
    4 V
  • コンフィギュレーション
    Single
OPN
BAT1502LSE6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 -
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon RF Schottky Diode is a silicon low barrier N-type of device with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Its low barrier height, small forward voltage diode and low junction capacitance, make BAT 15 - 02 LS a suitable choice for mixer and detector functions in applications whose frequencies are as high as 12 GHz.
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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