リクエスト対応可能
RoHS準拠
鉛フリー

AUIRS2123

車載アプリケーション向けの高電圧、高速パワーMOSFETおよびIGBTドライバ。入力に対して同相の出力
データシート
パッケージ

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AUIRS2123
AUIRS2123
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    8-Lead SOIC
  • 伝搬遅延オフ
    140 ns
  • 伝搬遅延オン
    140 ns
  • 出力電流 (Source)
    0.5 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.5 A
  • 認定
    Automotive
  • 電圧クラス
    600 V
OPN
AUIRS2123STR
製品ステータス on request
インフィニオンパッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス on request
インフィニオンパッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
AUIRS2123Sは、高電圧、高速のパワーMOSFETおよびIGBTドライバです。独自のHVICおよびラッチアップ耐量のCMOSテクノロジーは、耐久性のある一体式構造を実現します。ロジック入力は標準的なCMOSまたはLSTTL出力に対応しています。出力ドライバは、最小用に設計された高パルス電流バッファ段を備えています。クロスコンダクション。フローティングチャネルを使用すると、600Vまで動作するハイサイド構成でNチャネルパワーMOSFETまたはIGBTを駆動できます。

利点

  • ブートストラップ操作用に設計されたフローティングチャネル
  • +600 V
  • 負の過渡電圧に対する耐性 - dV/dt immune
  • Gateドライブ電源範囲は10V〜20V
  • 低電圧ロックアウト
  • CMOSシュミットトリガ入力、プルダウン
  • 入力と同相(AUIRS2123)または入力(AUIRS2124)と同相にずれて出力
  • 鉛フリー、RoHS対応
  • Automotive Qualified

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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