これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。 これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。
代替品を表示
AUIRLR3110Z
生産終了
生産終了
RoHS対応

AUIRLR3110Z

生産終了
100 V, N-Ch, 14 mΩ max, Automotive MOSFET, TO252-3, Trench MOSFET

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.



製品仕様情報

  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    42 A
  • ID (最大)
    45 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    63 A
  • Ptot (最大)
    140 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    48 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • RDS (on) (最大)
    14 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    16 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    14 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.05 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V~2.5 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Trench Mosfet
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive

OPN
AUIRLR3110ZTRL
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PG-TO252-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
DE,TW

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PG-TO252-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
DE,TW
Designed for automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features include 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These attributes make it an efficient and reliable choice for automotive and various other applications.

特長

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Logic Level Gate Drive
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ