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RoHS準拠

AUIRLR3110Z

100 V, N-Ch, 14 mΩ max, Automotive MOSFET, TO252-3, Trench MOSFET
データシート
パッケージ

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AUIRLR3110Z
AUIRLR3110Z
データシート

Product details

  • ID (@ TC=100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    42 A
  • ID max
    45 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    63 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V) max
    48 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • RDS (on) max
    14 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    16 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    14 mΩ
  • RthJC max
    1.05 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1 V to 2.5 V
  • VGS max
    16 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Trench Mosfet
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AUIRLR3110ZTRL
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 PG-TO252-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 PG-TO252-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Designed for automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features include 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These attributes make it an efficient and reliable choice for automotive and various other applications.

機能

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Logic Level Gate Drive
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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