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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

AUIRF7647S2TR

生産終了
100 V, N-Ch, 31 mΩ max, Automotive MOSFET, DirectFET SC, Gen 10.7
データシート
パッケージ
代替品

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AUIRF7647S2TR
AUIRF7647S2TR
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    24 A
  • Ptot max
    41 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    11079 nC
  • QG (typ @10V) max
    21 nC
  • QG (typ @10V)
    14 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    31 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    MG-WDSON-5
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.82
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
AUIRF7647S2TR
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Advanced Process Technology
  • Optimized for Class D Audio Amplifier
  • Low RDS(on) for Improved Efficiency
  • Low Qg for Better THD and Efficiency
  • Low Qrr for Better THD and Lower EMI
  • Low Parasitic Inductance
  • Max 100W per Channel to 8Ω, no heat sink
  • Dual Sided Cooling
  • 175°C Operating Temperature
  • Repetitive Avalanche Capability
  • Lead free, RoHS and Halogen free
  • AEC Qualified & PPAP Capable Device

利点

  • Reduced Ringing and Lower EMI
  • Improved Robustness and Reliability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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