AUIRF7309Q

30 V, Dual N & P-Ch, 50 mΩ max, Automotive MOSFET, SO8, Gen 5

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AUIRF7309Q
AUIRF7309Q

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    4.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    1.4 W
  • Qgd (typ)
    5.3 nC, 6 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    50 mΩ
  • RthJA (最大)
    90 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (最大)
    3 V
  • VGS(th) (最小)
    -1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ~ 150 °C
  • 技術
    Gen 5
  • 極性
    N+P
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

特長

  • Advanced planar technology
  • Dynamic dV/dT rating
  • 175°C operating temperature
  • Fast switching
  • Fully Avalanche Rated
  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
  • Lead free, RoHS compliant
  • Automotive qualified
  • PPAP Capable Device

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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