Active and preferred
RoHS準拠

AIKB40N65DF5

小型SMDパッケージの高速スイッチング・アプリケーション向けのワールドクラスの低コスト電力
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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AIKB40N65DF5
AIKB40N65DF5
EA.
データシート

Product details

  • Co-pack ダイオード技術
    RAPID1
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Eon
    0.39 mJ
  • IC (@ 100°) max
    46 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    37 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    13 A
  • Ptot max
    250 W
  • QGate
    90 nC
  • Qrr
    530 nC
  • td(off)
    166 ns
  • td(on)
    22 ns
  • tf
    6 ns
  • tr
    13 ns
  • VCE(sat) max
    1.6 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    15-120 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • リフローはんだ付け可能
    Yes
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • 発売年
    2019
  • 種類
    IGBT + Diode
  • 電圧クラス max
    650 V
推奨
OPN
AIKB40N65DF5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
インフィニオンの650V TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジーは、電気自動車とハイブリッド車の効率を向上させます。そのIGBT技術は、損失を最小限に抑え、オンボードチャージャー、PFC、DC/ACなどのアプリケーションの効率を最大化します。これにより、EVバッテリーの航続距離が延びたり、バッテリーが小さくなったり、ハイブリッド車の燃料消費量が削減されたりします。TRENCHSTOP™ 5 AUTOは、MOSFETに代わるコスト効率の高い製品を提供し、D²PAKのようなSMDハウジングは、システムコストを削減し、品質管理を強化します。

機能

  • TRENCHSTOP™ 5 技術、低 VCEsat
  • 650V ブレークダウン V、公称電流 40A
  • RAPID-1
  • 高速<スイッチング (最大 150kHz) 超高速スイッチング (最大 150kHz)/li><>>
  • Automotive 認定<済み、最大ジャンクション温度
  • 175 °C/
  • 非常に低いスイッチング損失
  • 非常に低い接合部とケース温度
  • PWMエンジンはデジタルdimminをサポートしますSMD
  • 非常に堅牢

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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