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2N6851

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2N6851
2N6851
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    -2.4 A
  • ID (@25°C) max
    -4 A
  • QPL型番
    2N6851
  • RDS (on) (@25°C) max
    800 mΩ
  • VBRDSS min
    -200 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
2N6851EWSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
2N6851 is a high reliability, -200V, single, P-channel MOSFET in a TO-205AF package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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