2N6796
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2N6796

データシート
パッケージ

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2N6796
2N6796
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    8 A
  • QPL型番
    2N6796
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    180 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    100 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    High Reliability MOSFETs
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
2N6796EWSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
2N6796 is a high reliability, 100V, single, N-channel MOSFET in a TO-205AF package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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