2EDN7524F
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

2EDN7524F

Fast dual-channel 5A gate driver optimized for driving both standard and superjunction MOSFETs, as well as GaN power switching devices.

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2EDN7524F
2EDN7524F

製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    3.9 V
  • VBS UVLO (On)
    4.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Non-isolated
  • コンフィギュレーション
    Low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    PG-DSO-8
  • 予算価格€/ 1k
    0.32
  • 伝搬遅延オフ
    19 ns
  • 伝搬遅延オン
    17 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    4.2 V~20 V
  • 出力電流 (Source)
    5 A
  • 出力電流 (Sink)
    5 A
  • 製品名
    2EDN7524F
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    20 V
OPN
2EDN7524FXTMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The gate driver accepts low voltage TTL and 3.3V CMOS signals with a wide voltage handling range of +20V to -10VDC, protecting against ground bouncing. Each output can sink/source 5A with low impedances. Channel delay matching of 1ns allows doubling of current up to 10A through channel paralleling. Available in three package options for flexibility and improved thermal performance.

特長

  • 5A peak source/sink current
  • 5ns (typ.) rise/fall times
  • < 10ns propagation delay tolerance
  • 8V UVLO option
  • Propagation delay for both & for enable
  • -10V control and enable inputrobustness
  • Outputs robust against reverse current
  • 2 independent channels
  • < 1ns channel-to-channel miss-match
  • Industry standard pin-out and packages

利点

  • Fast Miller plateau transition
  • Fast and reliable MOSFET turn-off
  • Saves switching diodes
  • Boost drive I by concurr't switching 2ch
  • Straight-forward design up-grades
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ