新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

2EDN7524F

Fast dual-channel 5A gate driver optimized for driving both standard and superjunction MOSFETs, as well as GaN power switching devices.
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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2EDN7524F
2EDN7524F
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (Off)
    3.9 V
  • VBS UVLO (On)
    4.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Non-isolated
  • コンフィギュレーション
    Low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    PG-DSO-8
  • 予算価格€/ 1k
    0.32
  • 伝搬遅延オフ
    19 ns
  • 伝搬遅延オン
    17 ns
  • 入力 Vcc
    4.2 V to 20 V
  • 出力電流 (Source)
    5 A
  • 出力電流 (Sink)
    5 A
  • 製品名
    2EDN7524F
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    20 V
OPN
2EDN7524FXTMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The gate driver accepts low voltage TTL and 3.3V CMOS signals with a wide voltage handling range of +20V to -10VDC, protecting against ground bouncing. Each output can sink/source 5A with low impedances. Channel delay matching of 1ns allows doubling of current up to 10A through channel paralleling. Available in three package options for flexibility and improved thermal performance.

機能

  • 5A peak source/sink current
  • 5ns (typ.) rise/fall times
  • < 10ns propagation delay tolerance
  • 8V UVLO option
  • Propagation delay for both & for enable
  • -10V control and enable inputrobustness
  • Outputs robust against reverse current
  • 2 independent channels
  • < 1ns channel-to-channel miss-match
  • Industry standard pin-out and packages

利点

  • Fast Miller plateau transition
  • Fast and reliable MOSFET turn-off
  • Saves switching diodes
  • Boost drive I by concurr't switching 2ch
  • Straight-forward design up-grades

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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