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RoHS準拠
鉛フリー

2EDL8033G4B

120 V boot 3 A high and low side junction isolated gate drivers
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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2EDL8033G4B
2EDL8033G4B
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    7.3 V
  • VBS UVLO (Off)
    6.7 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    33 ns
  • 伝搬遅延オン
    33 ns
  • 入力 Vcc
    8 V to 17 V
  • 出力電流 (Source)
    3 A
  • 出力電流 (Sink)
    6 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    120 V
推奨
OPN
2EDL8033G4BXTMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-VDSON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VDSON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 2EDL8033G4B is designed to drive both high-side and low-side MOSFETs in a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of driving a high-side MOSFET operating up to 120V bootstrap voltage and provides full 3A current capability. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique using an integrated bootstrap diode. Independent inputs allow high and low-side domains to be controlled independently.

機能

  • 3 A & 4 A source / 6 A sink output current capability
  • 120 V absolute maximum boot voltage
  • Integrated bootstrap diode
  • -10 V to 20 V input pin capability for increased robustness
  • -5 A output pin reverse current capability
  • -12 V absolute maximum negative voltage on HS
  • 8 V to 17 V supply voltage operating range
  • UVLO for both high-side and low-side driver
  • Fast propagation delay (< 35 ns)
  • 2 ns typical delay matching
  • Offered in SON-8 (4x4).
  • Specified from -40ºC to 125ºC operating junction temperature range

利点

  • Best in class driving capability with 3 A & 4 A source / 6 A sink output current capability
  • Helps in achieving better efficiency due to its strong source/ sink capability
  • Strong 6 A pull down for avoiding induced turn on
  • Tight propagation delay matching reduces dead time losses
  • Offered in small 4 x 4mm leadless package with industry standard pin-out
  • Integrated bootstrap diode reduces BOM cost and increases power density

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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