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2EDL8033F5B
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2EDL8033F5B

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120 V boot 3 A high and low side junction isolated gate drivers
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2EDL8033F5B
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製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    6.7 V
  • VBS UVLO (On)
    7.3 V
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    33 ns
  • 伝搬遅延オン
    33 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    8 V～17 V
  • 出力電流 (Sink)
    6 A
  • 出力電流 (Source)
    3 A
  • 絶縁方式
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    120 V

OPN
2EDL8033F5BXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
JP
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
JP
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The 2EDL8033F5B is designed to drive both high and low-side MOSFETs in a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of driving a high-side MOSFET operating up to 120 V bootstrap voltage & provides 3 A current capability. The high-side bias voltage is generated using an integrated bootstrap diode. The inputs of the driver are TTL logic compatible and can withstand input common mode swing from -10 V up to 20 V.

特長

  • 3 A source / 6 A sink output current
  • 120 V absolute maximum boot voltage
  • Integrated bootstrap diode
  • -10 V to 20 V input pin capability
  • -5 A output pin reverse current cap.
  • -12 V abs maximum negative voltage on HS
  • 8-17 V supply voltage operating range
  • UVLO for both high-side and low-side
  • Fast propagation delay (< 35 ns)
  • 2 ns typical delay matching
  • Offered in DSO-8
  • -40ºC to 125ºC operating junction T°

利点

  • Best-in-class driving capability
  • Strong 3 A source/ sink capability
  • Strong 6 A pull down (no induced turn on)
  • Tight propagation delay matching
  • DSO-8 package, industry standard pin-out
  • Integrated bootstrap diode
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ