Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

2ED1322S12M

1200 V high current half-bridge gate driver IC with integrated bootstrap diode and OCP
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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2ED1322S12M
2ED1322S12M
EA.
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    11.3 V
  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    11.3 V
  • VCC UVLO (On)
    12.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    500 ns
  • 伝搬遅延オン
    500 ns
  • 入力 Vcc min
    13 V
  • 出力電流 (Source)
    2.3 A
  • 出力電流 (Sink)
    4.6 A
  • 製品名
    2ED1322S12M
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V
推奨
OPN
2ED1322S12MXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge gate driver IC with typical 2.3 A source, 4.6 A sink current and cross conduction prevention in DSO-16 (300mils) package for 1200 V SiC MOSFET and IGBT power devices. The 2ED1322S12M is based on our SOI-technology which has an excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. Since the device has no parasitic thyristor structures, the design is very robust against parasitic latch up across the operating temperature and voltage range.

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Max. boots. volt. (VB node) +1225 V
  • Operating voltages < + 1200 V
  • Negative VS transient vol. immunity
  • 2.3 A/4.6 A peak output source/sink
  • Integrated over-current protection
  • ± 5% high accu. reference threshold
  • Less than 1 us over-current sens
  • Integr. ultra-fast bootstrap diode
  • Dead-time & shoot-through preventi.
  • Enable, Fault & programmable Fault
  • Logic operational < –8 V on VS Pin

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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