OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 200 V

概要

新しい業界標準

インフィニオンの新しい200V MOSFETファミリーは、最新のOptiMOS™ 6 MOSFETトレンチ技術を使用し、高電力密度、高効率、高耐久性を実現しています。

従来技術に比べて、OptiMOS™ 6は大幅に性能が向上しました:

  • 低導通損失
  • 低スイッチング損失
  • 優れたEMI性能
  • 並列化の必要性を低減 .
  • 並列動作時の優れた電流分配
  • RoHS対応、鉛フリー
OptiMOS™ 6 200 V技術

新しいOptiMOS™ 6 200 V MOSFETは、最新のトレンチMOSFET技術を代表する製品です。高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに、以下のように対応します:

  • 室温でRDS(on)を42%低減し、前世代との比較では、175°Cで53%低減
  • Qrrの低減によりスイッチング性能が向上し、キャパシタンス直線性も向上
  • 実際に、EMI動作を損なうことなく、導通損失およびスイッチング損失ともに低減。
  • 本技術は、SOAを改善することで、保護スイッチ アプリケーションにおけるMOSFETの電流ハンドリングを向上させるとともに、設計の最適化と生産精度を高めることにより、並列接続に理想的な、信頼性の高い高性能技術を実現しています。

OptiMOS™ 6 200 V MOSFETトレンチ技術は、e-スクーター、マイクロEV、電子フォークリフトなどのモーター制御アプリケーションにおいて最適な性能を発揮するよう設計されています。

本技術は、RDS(on)を大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。OptiMOS™ 6 200 Vは、ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、並列接続に優れたデバイスです。OptiMOS™ 6 200 Vは、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、あらゆる動作条件においてシステム効率を向上させます。

改善されたスイッチング動作により、EMIが低減され、スイッチング損失が減少します。サーバー、テレコム、ESS、太陽光発電など、あらゆるタイプのスイッチング アプリケーションに対応します。その結果、効率と電力密度が向上します。

最後に大事なポイントとなりますが、本デバイスの広い安全動作領域 (SOA) と低いRDS(on)の組み合わせは、バッテリーマネジメントシステム(BMS) のような静的スイッチング アプリケーションに最適です。

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